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半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
電壓：200V
電流：10mA
控制，1電壓：20V
控制，1電流：10A
控制，2電壓：20V
控制，2電流：1A
電壓分辨率：1mV
電流分辨率：1nA
測(cè)試速度：器件不同速度也不同
試器件種類(lèi)
二*管
穩(wěn)壓（齊納）二*管
晶體管（NPN型/PNP型）
可控硅整流器（普通晶閘管）
雙向可控硅（雙向晶閘管）
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（N-溝/P-溝）
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型）
光電耦合器
，參數(shù)
漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
擊穿參數(shù)： BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、VD、 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH
鎖定參數(shù)：IL
混合參數(shù)：rDSON、gFS
測(cè)試盒說(shuō)明：
測(cè)試盒共有五種：
1：可測(cè)二，管、穩(wěn)壓二，管；
2：可測(cè)封裝為T(mén)O-92、TO-220等三個(gè)管腳在一個(gè)平面上的三端器件；
3：可測(cè)封裝為T(mén)O-3及，封裝為F1、F2、F3、F4三端器件；
4：可測(cè)三個(gè)管腳分三角形排列，且器件殼體為小圓型的小功率三端器件；
5：可測(cè)DIP4、DIP6、DIP8封裝的光電耦合器；
測(cè)試夾具：
測(cè)試夾具有三根夾子線，與測(cè)試盒1配合使用，用來(lái)測(cè)試器件形狀，不能使用上述五種測(cè)試盒上的插座，則使用此三個(gè)夾子線直接夾在器件的管腳上進(jìn)行測(cè)試。