方阻儀簡介： 薄膜方塊電阻測試儀GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國A.S.T.M 標準。 薄膜方塊電阻測試儀主要用來測量硅外延層、擴散層和離子注入層、導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。由電氣測量部份（簡稱：主機）、測試架、四探針頭及**測量軟件組成。儀器采用四探針單電測量法適用于生產企業、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料的一種重要的工具。本儀器配置**測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示，*需人工計算，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量并根據測試結果自動轉換量程，*需人工多次和重復設置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結構合理、輕便，運輸、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成報表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。 方阻儀使用范圍： 適用于西門子法、硅烷法等生產**多晶硅料的企業 薄膜方塊電阻測試儀適用于物理提*生產多晶硅料生產企業 適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業 適用于科研部門、高等院校及需要**量程測量電阻率的企業 方阻儀特點： 可測方塊電阻：適合檢測硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅 適用于西門子法、硅烷法等生產**多晶硅料的企業 適用于物理提*生產多晶硅料生產企業 適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業 適用于科研部門、高等院校及需要**量程測量電阻率的企業 測試量程大，**電阻率測試儀 主機配置了“小游移四探針頭”了一起數據的準確性 儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度**提高 測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能 *特的設計能**消除測量引線和接觸電阻產生的誤差，***測量的高精度和寬的量程范圍 雙數字表結構使測量*，操作*簡便 具有**的測試數據查詢及打印功能 測量系統可實現自動換向測量、求平均值、值、值、平均百分變化率等 四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的游移率減小，測量重復性**提高 采用進口元器件，留有*大的系數，**提高了測試儀的性和使用壽命 測量電流采用高度穩定的**恒流源（**之五精度），不受氣候條件的影響 具有正測反測的功能，測試結果的準確性 具有抗強磁場和抗高頻設備的性能 方阻儀測量范圍： 10-5 ------1.9*105Ω?cm 10-4------1.9*104Ω?cm 可測硅棒尺寸： 長度300mm；直徑20mm（**按用戶要求*改） 輸出電流：DC0.001-100mA 五檔連續可調 測量范圍：0-199.99mV 靈 敏 度： 10μA 輸入阻抗：1000ΩM 電阻測量誤差：各檔均低于±0.05% 供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz. 推薦使用環境：溫度：23±2℃ 相對溫度：≤65%
名稱：JKSRPT-TT2 型號：JKSRPT-TT2 名稱：JKX-2008硅材 型號：JKX-2008 名稱：MINIHI-09硅 型號：MINIHI-09 名稱：DQZRT-100硅 型號：DQZRT-100 名稱：JKXT-VI硅材料 型號：JKXT-VI 名稱：NXTM-2B單晶P 型號：NXTM-2B 名稱：NXTM-3C**多 型號：NXTM-3C 名稱：NXTPT-VI便攜 型號：NXTPT-VI 名稱：SHY-JSTZ-8 型號：SHY-JSTZ-8 名稱：GDSKDY-1四探 型號：GDSKDY-1
