磁電阻效應實驗儀產品介紹: 磁電阻是指在**磁場下材料電阻率改變的現象。1988年長期研究磁電阻現象的法國巴黎大學Albert Fert**研究組,從英國物理學家N.F.Mott提出的磁性金屬電現象的模型出發,設計了一種多層薄膜結構,并在分子束外研制備的Fe/Cr多層膜中發現MR可達50%,其值遠大于通常的AMR,成功地“放大”了磁電阻現象,并且在薄膜平面上磁電阻是各向同性的,人們稱之為巨磁電阻(GMR)隨后不斷發現了多種材料**巨磁電阻效應。 本磁電阻效應實驗儀包括恒流源、數字電壓表、電磁鐵、磁場電源、數字特斯拉計及樣品等組成。用來測量材料的磁電阻,初步了解磁電阻的概念,掌握磁電阻的初步測量方法。 磁電阻效應實驗儀基本原理: 材料的電阻可由歐姆定律R=V/I測量,采用四引線接法。即由恒流源接至材料兩端,用數字電壓表測量兩端的電壓降。 磁電阻效應實驗儀實驗設備: 本磁電阻效應實驗儀主要有電磁鐵、四探針樣品架、數字毫特斯拉計、大功率恒流磁場電源、精密恒流電源、數字電壓表等組成。 磁電阻效應實驗儀參數: 精密恒流電源(三位半數字顯示) 測量范圍:0~10mA可調, 分 辨 率:10uA 穩 定 度:0.5% 數字電壓表(四位半數字顯示) 測量范圍:0~20mV 分 辨 率:1uV 測量精度:1% 磁場電源(三位半數字顯示) 測量范圍:0~6A可調 穩 定 度:0.5%可換向 數字特斯拉計(四位半數字顯示) 測量范圍:0~2000mT 分 辨 率:0.1mT 測量精度:1%
名稱:SKB-I光生伏特電 型號:SKB-I 名稱:HKS-1磁阻尼動摩 型號:HKS-1 名稱:HXJ-LZE-1磁 型號:HXJ-LZE-1 名稱:HXJ-LDZS-B 型號:HXJ-LDZS-B 名稱:HXJ-LJLD-I 型號:HXJ-LJLD-III 名稱:HXJ-LNCE-2 型號:HXJ-LNCE-2 名稱:HM-1霍爾法磁滯回 型號:HM-1 名稱:BT-U201模擬靜 型號:BT-U201 名稱:ML-WMF-980 型號:ML-WMF-9801 名稱:MLHT-648變溫 型號:MLHT-648 名稱:TF-CIB靜態磁特 型號:TF-CIB 名稱:SFDGT-1晶體光 型號:SFDGT-1