NIBJ-2939半導體分立器件測試儀|分立器件綜合參數測定儀

半導體分立器件測試儀產品簡介：
該儀器充分吸收國外測試系統的特點，采用了的嵌入式計算機和優化結構、16位并行A/D和D/A、多開爾文反饋、小信號精密測試以及陣列開關結構，并選用材料制作。在系統設計、選材、、制作、調試、校驗等諸多方面與現有同類系統相比均有較大**，從而**提高了系統的性能和性。
其特點是側重于中小功率器件、測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數測試、速度快、有的重復性和**性、很高的工作穩定性和性，很強的保護系統和被測器件保護能力。系統軟件功能**、使用靈活方便、操作簡單。系統軟件穩定、硬件故障率低，在實際測試應用中各項指標**真實達到手冊要求。
系統采用方便易學的窗口菜單界面，在PC機窗口提示下，輸入被測器件的測試條件，測試人員即可輕松快捷地控制系統，完成填表編程和開發測試程序、測試器件。操作人員**具備**計算機編程語言知識，使用簡捷方便。3分鐘即可完成一種測試編程，編寫完成后輸入儀器即可測試。當然還可以在儀器下直接進行器件測試程序及條件的編寫，方便靈活。系統和測試夾具均采用多開爾文結構，自動補償系統內部產生的**壓降，**情況下測試結果的精度和準確性。
優良的、低廉的價格、周到的服務使得該系統在市場具有好的競爭實力。。
半導體分立器件測試儀特征：
1.采用脈沖法測試參數、脈寬可為300μS，國軍標的規定采用嵌入式計算機控制，實現脫機運行
2.16位并行D/A、A/D設計，測試速度快、精度高
3.采用多開爾文，系統穩定性高，測試結果準確
4.采用三保護，系統，對被測器件*損傷
5.豐富的WINDOWS界面菜單編程和控制能力、方便的用戶信息文件、統計文件方式
6.晶體三管自動NPN和PNP 判別能力，*止選錯類型
7.二管性自動判別選擇，用戶測試二管不注意性
9.***自檢/自校準能力
10.測試系統需要的其它多種數據后處理能力
半導體分立器件測試儀參數：
主電壓：200V
主電流：10mA
測試速度：器件不同速度也不同
控制1電壓：20V
控制1電流：10A
控制2電壓：20V
控制2電流：1A
電壓分辨率：1mV
電流分辨率：1nA
試器件種類
測試功能*加**，可測試八類中、小功率的半導體分立器件：
二管
穩壓（齊納）二管
晶體管（NPN型/PNP型）
可控硅整流器（普通晶閘管）
雙向可控硅（雙向晶閘管）
MOS場效應管（N-溝/P-溝）
結型場效應管（N-溝/P-溝，耗盡型/增強型）
光電耦合器
上述所列類別包括各中、小功率半導體分立器件及其組成的陣列、組合、表貼器件。
測試方法行業總規范、相應的標準、**器件測試標準。
提供上述**器件測試所用的不同封裝形式的測試夾具和測試適配器。
可以定做**陣列、組合封裝、表貼器件的測試夾具。
幫助用戶開發**器件的測試程序。
漏電參數：IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
擊穿參數： BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、VD、 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益參數：hFE、CTR、gFS
導通參數：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
關斷參數：VGSOFF
觸發參數：IGT、VGT
保持參數：IH
鎖定參數：IL
混合參數：rDSON、gFS
測試盒說明：
測試盒共有五種：
1.可測二管、穩壓二管；
2.可測封裝為TO-92、TO-220等三個管腳在一個平面上的三端器件；
3.可測封裝為TO-3及封裝為F1、F2、F3、F4三端器件；
4.可測三個管腳分三角形排列，且器件殼體為小圓型的小功率三端器件；
5.可測DIP4、DIP6、DIP8封裝的光電耦合器；
半導體分立器件測試儀測試夾具：
測試夾具有三根夾子線，與測試盒1配合使用，用來測試器件形狀**，不能使用上述五種測試盒上的插座，則使用此三個夾子線直接夾在器件的管腳上進行測試。
半導體分立器件測試儀基本配置：
分立器件綜合參數測試儀          1臺
常用測試夾具                              5個
測試夾線                                     1套
半導體分立器件測試儀選用配置：
主控PC機                                   1臺
其它測試夾具